利用HRTEM研究单个GeSi量子点中的组分和应变分布
林健晖，吴跃勤，唐爽，樊永良，杨新菊，蒋最敏
复旦大学应用表面物理国家重点实验室  上海  200433
邹进
默认 王铮亮School of Engineering, The University of Queensland, Brisbane QLD 4072, Australia and Centre for Microscopy and Microanalysis, The University of Queensland, QLD 4072, Australia
摘要
研究GeSi量子点中的组分和应变分布，有助于理解量子点的结构和物理特性之间的关系，同时也有助于了解量子点的生长机制。利用透射电子显微术研究了单个GeSi/Si(001)量子点的组分和应变分布。
通过分析GeSi量子点的高分辨透射电子显微镜图像，获得了单个量子点中各处的晶格变化。根
据弹性理论和Vergard定律，由晶格常数得到了量子点组分和应变的分布。结果显示量子点中心偏顶部区域的Ge组分最高，顶部表面的Ge组分较低，底部侧表面的Ge组分最低，其组分分别为0.7，0.6和0.3。量子点中的Si原子是在生长过程中通过表面扩散而不是界面扩散进入量子点的。量子点中的应变是部分弛豫的，其应变分布为，量子点中间最大，底部比顶部大。量子点中的应变弛豫是通过Si衬底的形变来实现的。